分子束外延技术的新进展

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分子束外延技术的新进展

更新时间：2025-12-08

- 分子束外延技术的新进展
- 分子束外延技术的新进展
- 电子学报 1984年第4期页码：42
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- 纸质出版：1984
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[1]张维恒.分子束外延技术的新进展[J].电子学报,1984(04):42.

张维恒. 分子束外延技术的新进展[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (4): 42.
[1]张维恒.分子束外延技术的新进展[J].电子学报,1984(04):42. DOI：

张维恒. 分子束外延技术的新进展[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (4): 42. DOI：

摘要

<正> 科学院半导体研究所利用国产的分子束外延（MBE）设备

继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后

新近

又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结

并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究

观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。

Abstract

<正> 科学院半导体研究所利用国产的分子束外延（MBE）设备

继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后

新近

又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结

并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究

观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。

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