单片X波段GaAs MESFET振荡器

叶禹康; 王福臣; 楼洁年

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单片X波段GaAs MESFET振荡器

更新时间：2025-12-08

- 单片X波段GaAs MESFET振荡器
- X Band Monolithic GaAs MESFET Oscillators
- 电子学报 1983年第3期页码：17-22
- 作者机构：
  
  南京固体器件研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1983
- 稿件说明：
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[1]叶禹康,王福臣,楼洁年.单片X波段GaAs MESFET振荡器[J].电子学报,1983(03):17-22.

Ye Yu-kang, Wang Fu-chen, Lou Jie-nian. X Band Monolithic GaAs MESFET Oscillators[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 17-22.
[1]叶禹康,王福臣,楼洁年.单片X波段GaAs MESFET振荡器[J].电子学报,1983(03):17-22. DOI：

Ye Yu-kang, Wang Fu-chen, Lou Jie-nian. X Band Monolithic GaAs MESFET Oscillators[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 17-22. DOI：

摘要

本文介绍了单片X波段GaAs MESFET振荡器的研究结果

阐明了计算GaAs MES FET三端口S参数以及用此参数设计单片振荡器的方法

给出了单片振荡器的制造技术及测试结果;10.3GHz时输出30mW;8.2GHz时输出40mW

效率15％。

Abstract

This paper presents research results of X band monolithic GaAs MESFET oscillators and describes the methods used to derive GaAs MESFET 3-port S-parameters and to design monolithic oscillators with these S-parameters. A technique used for realizing the monolithic oscillators is proposed and the measured results are as follows: 30 mW output power at 10. 3 GHz

and 40 mW at 8. 2GHz with the efficiency of 15%

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