N<sup>+</sup>-p-N<sup>+</sup>GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算

魏策军; 王颜铸

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N⁺-p-N⁺GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算

更新时间：2025-12-08

- N⁺-p-N⁺GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算
- I-V Characteristic calculation for N⁺-p-N⁺ GaAs Ballistic Structure
- 电子学报 1983年第6期页码：113-114
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所
  2. 华盛顿Howard大学
  3. 中国科学院半导体研究所华盛顿Howard大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1983
- 稿件说明：
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[1]魏策军,王颜铸.N~+-p-N~+GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算[J].电子学报,1983(06):113-114.

Wei Ce-jun. I-V Characteristic calculation for N⁺-p-N⁺ GaAs Ballistic Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (6): 113-114.
[1]魏策军,王颜铸.N~+-p-N~+GaAs弹道结构的Ⅰ-Ⅴ特性计算[J].电子学报,1983(06):113-114. DOI：

Wei Ce-jun. I-V Characteristic calculation for N⁺-p-N⁺ GaAs Ballistic Structure[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (6): 113-114. DOI：

摘要

求解电子动量与能量平衡方程和Poisson方程对具有半微米长的N

-p-N

GaAs弹道结构进行了计算

并考虑了弛豫时间和有效质量与能量的关系。计算结果与已报导的实验数据相符。

Abstract

The I-V characteristic was calculated for a GaAs N+-p-N+Ballistic structure with a short length of half micron. The calculations were carried out by solution of the electron energy and momentum conservation equations and the Poisson equation

taking into account the energy dependences of relaxation time and effective mass. The results showed a good agreement with the experiments reported previously.

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I-V Characteristic calculation for N+-p-N+ GaAs Ballistic Structure

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