中国科学院电子学研究所阳极研究室
纸质出版:1983
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[1].一种低温大电流密度的热阴极[J].电子学报,1983(02):84.
Cathode Research Lab., Institute of Electronics, Academia Sinica. A High Current Density and Low Operating Temperature Impregnaed Barium Scamdate Thermionic Cathode[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (2): 84.
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正
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中国科学院电子学研究所已经研制出了一种浸渍钪酸盐钡钨阴极。中国科学院已于1982年7月通过了对该项成果的鉴定。该阴极的突出优点是工作温度范围宽
在较低工作温度下
具有小的蒸发;制造工艺简单
容易掌握。其性能已达国际先进水平
并已在国产回旋管、磁控管、速调管及行波管等十几种器件中获得应用
效果良好。 该阴极的主要性能为:(1)热发射脉冲宽定为100μs;重复频率100Hz下的拐点发射电流密度j拐在阴极温度达800℃时为10A/Cm
2
850℃
900℃时为30A/cm
2
(15只钼阳极管的平均值);直流3/2次方曲线
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中国科学院电子学研究所已经研制出了一种浸渍钪酸盐钡钨阴极。中国科学院已于1982年7月通过了对该项成果的鉴定。该阴极的突出优点是工作温度范围宽
在较低工作温度下
具有小的蒸发;制造工艺简单
容易掌握。其性能已达国际先进水平
并已在国产回旋管、磁控管、速调管及行波管等十几种器件中获得应用
效果良好。 该阴极的主要性能为:(1)热发射脉冲宽定为100μs;重复频率100Hz下的拐点发射电流密度j拐在阴极温度达800℃时为10A/Cm
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850℃
900℃时为30A/cm
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(15只钼阳极管的平均值);直流3/2次方曲线
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