微带薄膜型环行器的正交场磁化

肖定山

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微带薄膜型环行器的正交场磁化

更新时间：2025-12-08

- 微带薄膜型环行器的正交场磁化
- Orthogonal Field Magnetization on Microstrip Film Model Circulators
- 电子学报 1984年第1期页码：84-87
- 作者机构：
  
  西南应用磁学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]肖定山.微带薄膜型环行器的正交场磁化[J].电子学报,1984(01):84-87.

Xiao Ding-shan. Orthogonal Field Magnetization on Microstrip Film Model Circulators[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (1): 84-87.
[1]肖定山.微带薄膜型环行器的正交场磁化[J].电子学报,1984(01):84-87. DOI：

Xiao Ding-shan. Orthogonal Field Magnetization on Microstrip Film Model Circulators[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (1): 84-87. DOI：

摘要

本文指出

保证旋磁样品内高频场与直流场正交

是改善薄膜型结构铁氧体环行器性能的有效方法。文中给出了设计模型及实验结果。

Abstract

A mothed has been derived based on that the DC field will be applied exactly perpendicular to the RF magnetic field in the ferrite sample

which improves the characters of the microstrip as well as the film lumped element circulators. The design model of the applied non-uniform permanent magnetic field is discussed in this paper and the simple version is also given.

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