溅射法制备a-Si<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>:H薄膜光电性能的研究

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溅射法制备a-Si_xC_1-x:H薄膜光电性能的研究

更新时间：2025-12-08

- 溅射法制备a-Si_xC_1-x:H薄膜光电性能的研究
- Optical and Electrical Properties of Sputtered a-Si_xC_1-x: H Films
- 电子学报 1984年第6期页码：102-104
- 作者机构：
  
  兰州大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]张仿清,张南屏,刘智,王印月,陈光华.溅射法制备a-Si_xC_(1-x):H薄膜光电性能的研究[J].电子学报,1984(06):102-104.

Zhang Fang-qing, Zhang Nan-ping, Liu zhi, et al. Optical and Electrical Properties of Sputtered a-Si_xC_1-x: H Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (6): 102-104.
[1]张仿清,张南屏,刘智,王印月,陈光华.溅射法制备a-Si_xC_(1-x):H薄膜光电性能的研究[J].电子学报,1984(06):102-104. DOI：

Zhang Fang-qing, Zhang Nan-ping, Liu zhi, et al. Optical and Electrical Properties of Sputtered a-Si_xC_1-x: H Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (6): 102-104. DOI：

本文介绍了用溅射法制备的a-Si

1-x

:H薄膜光学带隙和电导激活能与碳含量的关系

测量了所得样品的红外吸收谱、光电子谱及折射率。对所得结果进行了初步的讨论。

The relations among the band gap

conductive activation energy and the carbon content in the SP-a-SixC1 -x: H films are presented

together with the IR and XPS spectra and refractive index

and followed by some preliminary discussions of the obtained results.

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