用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响

王印月; 张仿青; 张青; 陈光华

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用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响

更新时间：2025-12-08

- 用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响
- Annealing Effects on a-Si:H Density of states in Gap by Field Effect Method
- 电子学报 1984年第3期页码：52-56
- 作者机构：
  
  兰州大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]王印月,张仿青,张青,陈光华.用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响[J].电子学报,1984(03):52-56.

Wang Yin-yue Zhang Fang-qing Zhang Qing Chen Guang-hua. Annealing Effects on a-Si:H Density of states in Gap by Field Effect Method[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (3): 52-56.
[1]王印月,张仿青,张青,陈光华.用场效应法研究退火对a-Si∶H隙态密度的影响[J].电子学报,1984(03):52-56. DOI：

Wang Yin-yue Zhang Fang-qing Zhang Qing Chen Guang-hua. Annealing Effects on a-Si:H Density of states in Gap by Field Effect Method[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (3): 52-56. DOI：

摘要

本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I

—V

关系

示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下

经500℃退火的样品的场效应特性在负栅压方面有较大的改善

测得了从积累到反型的几乎整个 I

—V

关系

发现在距迁移率边缘0.4eV 附近有 N（E）的峰值。

Abstract

Based on the field effect method

—V

characteristics are measured for diffe- rent source-drain voltages and annealing temperatures

indicating properties of the a-Si:H field effect transistor （FET）.For samples annealed at 500℃ and in Ar gas

the field effect chara- cteristics in negative gate voltage show a remarkable improvement.It is found from measured data that peaks of N（E） exist at about 0.4eV from the mobility edges in the valence and co- nduction bands.

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