一种高隔离度3-dB微带定向耦合器

欧来成; 李嗣范

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一种高隔离度3-dB微带定向耦合器

更新时间：2025-12-08

- 一种高隔离度3-dB微带定向耦合器
- A 3-dB Microstrip Directional Coupler with High Isolation
- 电子学报 1983年第3期页码：45-50
- 作者机构：
  
  南京工学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1983
- 稿件说明：
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[1]欧来成,李嗣范.一种高隔离度3-dB微带定向耦合器[J].电子学报,1983(03):45-50.

Ou Lai-cheng, Li Si-fang. A 3-dB Microstrip Directional Coupler with High Isolation[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 45-50.
[1]欧来成,李嗣范.一种高隔离度3-dB微带定向耦合器[J].电子学报,1983(03):45-50. DOI：

Ou Lai-cheng, Li Si-fang. A 3-dB Microstrip Directional Coupler with High Isolation[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 45-50. DOI：

摘要

本文采用接地板开槽的交指耦合悬浮线结构

使3-dB微带定向耦合器的隔离度在1～2GHz频带内优于25dB

耦合线间距0.1mm。既提高了隔离度

又克服了微带定向耦合器紧耦合时工艺要求太高的缺点。全文用谱域技术进行严格分析

用Galerkin法进行数值计算。给出的阻抗曲线和相速曲线为精确设计提供可靠的依据。实验结果与理论分析一致。

Abstract

With a configuration of interdigitai coupled suspended microstrips with tuning septums

an isolation better than 25 dB is obtained in 1

GHz band for directional couplers. A set of curves of odd/even mode impedances and phase velocities are presented. They are analysed by spectral domain technique and calculated by the Galerkin’s method. A 3-dB directional coupler is designed and fabricated. The experimental results are in good agreement with the theoretical analysis.

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