非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究

何宇亮; 刘湘娜

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非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究

更新时间：2025-12-08

- 非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究
- Investigation into Crystallization and Structure Characteristics of Amorphous Silicon Films
- 电子学报 1982年第4期页码：71-74
- 作者机构：
  
  南京大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1982
- 稿件说明：
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[1]何宇亮,刘湘娜.非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究[J].电子学报,1982(04):71-74.

He Yu-liang, Liu Xiang-na. Investigation into Crystallization and Structure Characteristics of Amorphous Silicon Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1982, (4): 71-74.
[1]何宇亮,刘湘娜.非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究[J].电子学报,1982(04):71-74. DOI：

He Yu-liang, Liu Xiang-na. Investigation into Crystallization and Structure Characteristics of Amorphous Silicon Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1982, (4): 71-74. DOI：

摘要

本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550～750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度是680±10℃。在晶化温度以下的温度范围内

非晶硅的生长激活能为0.44eV;在晶化温度以上多晶硅的生长激活能为1.78eV。在由非晶硅向多晶硅转变过程中存在着具有准无序结构的微晶区域。

Abstract

The crystallization as well as the structure characteristics of ordinary CVD amorphous silicon films deposited over a temperature range of 550-750℃ have been investigated by TED

SEM and X-ray diffraction analysis. The crystallization temperature is given as 680±10℃

above which the deposited films are polycrystalline with an activation energy of growth 1.78 eV. and below which the deposited films are amorphous with an activation energy of growth 0.44 eV. Microcrystalline zone of pseudo amorphous structure exists in the transition process from amorphous to polycrystalline state.

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