单管单元MOS RAM读出放大器的瞬态分析与设计

祝忠德; 沈悌明; 陈贤; 岑乐鼎

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

单管单元MOS RAM读出放大器的瞬态分析与设计

更新时间：2025-12-08

- 单管单元MOS RAM读出放大器的瞬态分析与设计
- A Transient Analysis and Design of the Sense Amplifier of Single transistor Cell MOS RAM
- 电子学报 1983年第3期页码：50-56
- 作者机构：
  
  1. 北京大学
  2. 上海无线电十四厂
  3. 北京大学上海无线电十四厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1983
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]祝忠德,沈悌明,,,,,,,,,陈贤,,,,,,,,,岑乐鼎.单管单元MOS RAM读出放大器的瞬态分析与设计[J].电子学报,1983(03):50-56.

Zhu Zhong-de, Shen Ti-ming, Chen Xian. A Transient Analysis and Design of the Sense Amplifier of Single transistor Cell MOS RAM[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 50-56.
[1]祝忠德,沈悌明,,,,,,,,,陈贤,,,,,,,,,岑乐鼎.单管单元MOS RAM读出放大器的瞬态分析与设计[J].电子学报,1983(03):50-56. DOI：

Zhu Zhong-de, Shen Ti-ming, Chen Xian. A Transient Analysis and Design of the Sense Amplifier of Single transistor Cell MOS RAM[J]. Acta Electronica Sinica, 1983, (3): 50-56. DOI：

摘要

本文定义一个电流灵敏度函数S（t）来描述单管单元RAM读出放大器的灵敏度

它比较形象地描绘了读出放大器到达自锁这一瞬态过程。利用计算机模拟计算

可以改变各种设计因素（器件参数、位线预充电电平

上升波形……等）来观察它们对于S（t）函数曲线特征的影响

并以此作为最佳化设计的依据

直观地获得设计参数。本文还对读出放大器的设计提出了若干改进建议。

Abstract

In this paper

a current sensistivity function is defined to describe the sensisti-vity of the sense amplifier of single transistor cell MOS RAM. It gives a more detailed and vivid description of the transient process when the sense amplifier is reaching latch state. By using computer simulation techniques

it is possible to change the various design factors （such as the device parameters

precharged voltage on the bit line

raising waveform of φs

etc.） to observe their effects on the characterization of the sensistivity function S （t）. It is used as the basis for the optimal design

and the parameters can be obtained visually. Some suggestions of improving the sense amplifier design are made.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据