GaAs双极飞越晶体管的探讨

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GaAs双极飞越晶体管的探讨

更新时间：2025-12-08

- GaAs双极飞越晶体管的探讨
- A GaAs Ballistic Bipolar Transistor
- 电子学报 1982年第4期页码：75-76
- 作者机构：
  
  1. 北京电子管厂
  2. 美国康涅尔大学
  3. 北京电子管厂美国康涅尔大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1982
- 稿件说明：
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[1]朱恩均,顾慰华.GaAs双极飞越晶体管的探讨[J].电子学报,1982(04):75-76.

Zhu En-jun. A GaAs Ballistic Bipolar Transistor[J]. Acta Electronica Sinica, 1982, (4): 75-76.
[1]朱恩均,顾慰华.GaAs双极飞越晶体管的探讨[J].电子学报,1982(04):75-76. DOI：

Zhu En-jun. A GaAs Ballistic Bipolar Transistor[J]. Acta Electronica Sinica, 1982, (4): 75-76. DOI：

本文提出了一种利用异质结注入和电子飞越运动的GaAs双极晶体管

预期可以得到优异的性能。文中给出了消除GaAs表面有害影响的方法

这是实现这一器件的关键。

A GaAs bipolar transistor utilizing heterojunction injection and ballistic movement is proposed

from which excellent performances can be expected. As a key to its successful realization

a method to eliminate harmful influence of the GaAs surface is also given.

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