高频薄膜衰减器的计算

陈其翔

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高频薄膜衰减器的计算

更新时间：2025-12-08

- 高频薄膜衰减器的计算
- The Calculation of HF Thin-Film Attenuators
- 电子学报 1981年第4期页码：97-101
- 作者机构：
  
  天津大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981
- 稿件说明：
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[1]陈其翔.高频薄膜衰减器的计算[J].电子学报,1981(04):97-101.

Chen Qi-xiang. The Calculation of HF Thin-Film Attenuators[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 97-101.
[1]陈其翔.高频薄膜衰减器的计算[J].电子学报,1981(04):97-101. DOI：

Chen Qi-xiang. The Calculation of HF Thin-Film Attenuators[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (4): 97-101. DOI：

摘要

本文用平面电流场理论分析了薄膜中电位和电流的分布特性

推导了具有一定网络图形的衰减器的衰减量和输入、输出特性阻抗的计算式

对设计薄膜衰减器有意义。文中还对衰减器的功率耗散问题作了一些讨论。

Abstract

: In this paper

the potential and current patterns in the thin-film have been analyzed with the theory of 2-dimensional electric field. The expressions derived for attenuation

input and output characteristic impedance of attenuators with certain network patterns will prove to be of benefit for the design of thin-film attenuators. The dissipation power has also been discussed.

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