测量Gunn器件热阻的新方法

郑一阳; 金秀雯; 张进昌

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测量Gunn器件热阻的新方法

更新时间：2025-12-08

- 测量Gunn器件热阻的新方法
- A New Method of Measuring Gunn Device Thermal Resistance
- 电子学报 1980年第3期页码：102-104
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  中图分类号：
- 纸质出版：1980
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[1]郑一阳,,,,,,,,,金秀雯,,,,,,,,,张进昌.测量Gunn器件热阻的新方法[J].电子学报,1980(03):102-104.

郑一阳, 金秀雯, 张进昌. A New Method of Measuring Gunn Device Thermal Resistance[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (3): 102-104.
[1]郑一阳,,,,,,,,,金秀雯,,,,,,,,,张进昌.测量Gunn器件热阻的新方法[J].电子学报,1980(03):102-104. DOI：

郑一阳, 金秀雯, 张进昌. A New Method of Measuring Gunn Device Thermal Resistance[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (3): 102-104. DOI：

摘要

本文研究了Gunn器件中的畴雪崩阈值与温度的依从关系

证实了畴雪崩阈值也是随温度的增加而增加的。我们利用这一关系测量了普通Gunn器件的热阻

发现在工作点测得的热阻要比在低场下测得的热阻大得多。这一结果值得在器件设计和可靠性研究中加以利用。

Abstract

In order to measure the thermal resistance of Gunn devices under the working state

we have studied the dependence of domain avalanche threshold value on the temperature in Gunn devices

and observed that domain avlanche threshold value increases with the temperature. The measurment of the thermal resistance in general Gunn devices with this method is shown. We have found that the thermal resistance at the working point is much higher than in the low field. This result can be used to advantage in device design and reliability study.

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