晶体管高频放大器阻塞现象的研究

丁钟琦

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

晶体管高频放大器阻塞现象的研究

更新时间：2025-12-08

- 晶体管高频放大器阻塞现象的研究
- A Study of Transistor RF Amplifier Bolcking
- 电子学报 1981年第1期页码：101-104
- 作者机构：
  
  湖南大学电气工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]丁钟琦.晶体管高频放大器阻塞现象的研究[J].电子学报,1981(01):101-104.

Ding Zhong-qi. A Study of Transistor RF Amplifier Bolcking[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (1): 101-104.
[1]丁钟琦.晶体管高频放大器阻塞现象的研究[J].电子学报,1981(01):101-104. DOI：

Ding Zhong-qi. A Study of Transistor RF Amplifier Bolcking[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (1): 101-104. DOI：

摘要

本文用双曲线函数法研究了晶体管高频放大器的阻塞问题

推导了有用输出与干扰的一般关系式

讨论了提高阻塞电平的方法。

Abstract

Transistor blocking is investigated using hyperbolic function. A general expression is obtained showing the effect of interference on the useful output and methods of raising the blocking level are discussed.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

晶体管高频放大器阻塞现象的研究

A Study of Transistor RF Amplifier Bolcking

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references