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纸质出版:1980
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[1].500g磷化铟单晶的制备[J].电子学报,1980(03):111-112.
Preparation of 500 Grams InP Single Crystal[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (3): 111-112.
[1].500g磷化铟单晶的制备[J].电子学报,1980(03):111-112. DOI:
Preparation of 500 Grams InP Single Crystal[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (3): 111-112. DOI:
<正> 河北半导体研究所使用本所设计的高压单晶炉
采用炉内合成的液封直拉技术
于1980年初成功地制备出锭重500g质量良好的InP单晶(如图1所示)。
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