10GHz低噪声GaAs FET

梁春广

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10GHz低噪声GaAs FET

更新时间：2025-12-08

- 10GHz低噪声GaAs FET
- 10GHz Low Noise Figure GaAs FET
- 电子学报 1979年第3期页码：98
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  中图分类号：
- 纸质出版：1979
- 稿件说明：
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[1]梁春广.10GHz低噪声GaAs FET[J].电子学报,1979(03):98.

梁春广. 10GHz Low Noise Figure GaAs FET[J]. Acta Electronica Sinica, 1979, (3): 98.
[1]梁春广.10GHz低噪声GaAs FET[J].电子学报,1979(03):98. DOI：

梁春广. 10GHz Low Noise Figure GaAs FET[J]. Acta Electronica Sinica, 1979, (3): 98. DOI：

摘要

正

在5cm波段GaAs FET研究的基础上

采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离

用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条

并采用深挖槽等方法

我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件

在10GHz下

噪声系数N

=4.7dB、增益G

=4.7dB

或者N

=5.8dB、G

=7dB。其管芯照片示于下图。

Abstract

正

在5cm波段GaAs FET研究的基础上

采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离

用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8～1.μ的栅条

并采用深挖槽等方法

我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件

在10GHz下

噪声系数N

=4.7dB、增益G

=4.7dB

或者N

=5.8dB、G

=7dB。其管芯照片示于下图。

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