毫米波器件肖特基势垒的实验研究

薛家文

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毫米波器件肖特基势垒的实验研究

更新时间：2025-12-08

- 毫米波器件肖特基势垒的实验研究
- THE EXPERIMENTAL RESEARCH OF SCHOTTKY BARRIERS FOR MILLIMETER BAND DEVICES
- 电子学报 1978年第1期页码：81-84
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  中图分类号：
- 纸质出版：1978
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[1]薛家文.毫米波器件肖特基势垒的实验研究[J].电子学报,1978(01):81-84.

Xue Jia-wen. THE EXPERIMENTAL RESEARCH OF SCHOTTKY BARRIERS FOR MILLIMETER BAND DEVICES[J]. Acta Electronica Sinica, 1978, (1): 81-84.
[1]薛家文.毫米波器件肖特基势垒的实验研究[J].电子学报,1978(01):81-84. DOI：

Xue Jia-wen. THE EXPERIMENTAL RESEARCH OF SCHOTTKY BARRIERS FOR MILLIMETER BAND DEVICES[J]. Acta Electronica Sinica, 1978, (1): 81-84. DOI：

摘要

本文给出了Zr、Ti、Ta、Mo、Tazr

MoCr等金属在硅上制作肖特基势垒的一些实验结果。初步实验表明

锆（Zr）具有很低的势垒高度

适合于制作检波二极管。经过适当热处理的MoCr-Si势垒

用于制作八毫米混频二极管

可靠性好

其整机噪声系数为7dB。

Abstract

Some experimental results are described for Schottky barriers made on silicon by using barrier metals such as Zr

TaZr and MoCr. The preliminary experimental results have shown that the Zr-Si barrier has a very low barrier height and is suitable for fabrication of detector diodes. A MoCr-Si barrier treated at proper temperature is applied to the fabrication of an 8mm mixer diode

which has a high reliability and an overall noise figure of about 7dB.

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