E×B交叉场的离子光学性质和二级近似离子轨迹及其象差

胡迺雄

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E×B交叉场的离子光学性质和二级近似离子轨迹及其象差

更新时间：2025-12-08

- E×B交叉场的离子光学性质和二级近似离子轨迹及其象差
- The Ion Optical Properties and the Second Order Ion Trajectories of the E×B Crossed Field and its Aberrations
- 电子学报 1981年第6期页码：64-75
- 作者机构：
  
  南京大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981
- 稿件说明：
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[1]胡迺雄.E×B交叉场的离子光学性质和二级近似离子轨迹及其象差[J].电子学报,1981(06):64-75.

Hu Nai-xiong. The Ion Optical Properties and the Second Order Ion Trajectories of the E×B Crossed Field and its Aberrations[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (6): 64-75.
[1]胡迺雄.E×B交叉场的离子光学性质和二级近似离子轨迹及其象差[J].电子学报,1981(06):64-75. DOI：

Hu Nai-xiong. The Ion Optical Properties and the Second Order Ion Trajectories of the E×B Crossed Field and its Aberrations[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (6): 64-75. DOI：

摘要

本文推导了具有倾斜磁极和平行板电场所组成的E×B交叉场中的一级和二级近似离子轨迹

给出了具有普遍意义的一级、二级传输矩阵和离子光学特性

以及象差系数随几何参量变化的情况。

Abstract

The first and second order ion trajectories of the E x B crossed field composed of the parallel plane electric field and the magnetic field with the tilted magnetic pole faces are derived. The first and second order transfer matrixes and the ion optical properties are given for general cases. The dependence of the second order aberrations on geometrical parameters is discussed.

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