N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%

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N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%

更新时间：2025-12-08

- N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%
- 4k N-MOS Dynamic RAM Chips’ Yield Over 20%
- 电子学报 1980年第2期页码：110
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  中图分类号：
- 纸质出版：1980
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[1].N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%[J].电子学报,1980(02):110.

4k N-MOS Dynamic RAM Chips’ Yield Over 20%[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (2): 110.
[1].N沟MOS动态4k RAM管芯成品率超过20%[J].电子学报,1980(02):110. DOI：

4k N-MOS Dynamic RAM Chips’ Yield Over 20%[J]. Acta Electronica Sinica, 1980, (2): 110. DOI：

摘要

<正> 中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器

采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元件/片

管芯成品率超过20％。为提高集成度

缩小芯片面积和提高电路性能

除简化电路外

还对各单项工艺进行了较深入的研

Abstract

<正> 中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器

采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元件/片

管芯成品率超过20％。为提高集成度

缩小芯片面积和提高电路性能

除简化电路外

还对各单项工艺进行了较深入的研

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