半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系

史久德

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半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系

更新时间：2025-12-08

- 半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系
- A Close Relation of Photo-Fatigue to the Surface Field of Photocathode
- 电子学报 1981年第2期页码：81-86
- 作者机构：
  
  南京华东电子管厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981
- 稿件说明：
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[1]史久德.半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系[J].电子学报,1981(02):81-86.

Shi Jiu-de. A Close Relation of Photo-Fatigue to the Surface Field of Photocathode[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (2): 81-86.
[1]史久德.半导体光电阴极在强光照射下层面场与光电疲乏的关系[J].电子学报,1981(02):81-86. DOI：

Shi Jiu-de. A Close Relation of Photo-Fatigue to the Surface Field of Photocathode[J]. Acta Electronica Sinica, 1981, (2): 81-86. DOI：

摘要

当涂敷于玻壳内壁上的光电阴极各处受到强光照射而产生光电发射时

发射层表面的电场将会使发射层晶体解体

并使正离子沿电场方向迁移

从而导致光电疲乏。本文讨论了层面场与光电疲乏的关系

给出了一种计算光电阴极正离子迁移的数学模型。这个模型能较好地说明若干实验中出现的物理现象。

Abstract

昗hen the intensive light is incident uniformly upon the photocathode deposited on the inner wall of the bulb

the electricfield distribution of the emitter surface will make the crystals electrolytically dissociated and force the positive ions to move along the direction of the field that results in a photo-fatigue.This paper discusses the relation between the electric-field of the layer surface and the fatigue

and presents a calculating model of positive ion displacement of photocathode

which makes some practical phenomena interpretable in the experiments.

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