用多晶发射极工艺制成了超增益晶体管
当I
c
从1mA减小到20nA时
h
FE
始终保持在2000左右。
A super gain transistor is trial-manufactured by polycryslalline-emitter technology
It’s HFE value is kept about 2000 when Ic varied from 1mA to 20nA.
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