磁聚焦电子束过渡区的计算

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磁聚焦电子束过渡区的计算

更新时间：2025-12-08

- 磁聚焦电子束过渡区的计算
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- 电子学报 1963年第4期页码：52-61
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- 纸质出版：1963
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[1]冯熾焘.磁聚焦电子束过渡区的计算[J].电子学报,1963(04):52-61.

冯熾焘. 磁聚焦电子束过渡区的计算[J]. Acta Electronica Sinica, 1963, (4): 52-61.
[1]冯熾焘.磁聚焦电子束过渡区的计算[J].电子学报,1963(04):52-61. DOI：

冯熾焘. 磁聚焦电子束过渡区的计算[J]. Acta Electronica Sinica, 1963, (4): 52-61. DOI：

摘要

本文提出以磁埸聚焦的电子束为获得进入相互作用区时的最佳入射条件来计算过渡区的新方法;它可适用于电子枪区有磁埸渗入的一般情况。此方法假设过渡区电子束边缘轨跡的方程为: 其中C

n

可以由电子轨跡和磁埸在过渡区起点和终点的条件定出;再以所得r=r（z）代入傍轴轨跡方程

便能求出对应的磁埸分布。此方法简单而精确

并于文末给出一计算的实例。最后在附录中提供一种积分傍轴轨跡方程的数值计算法

可求以任意给定的初始条件进入已知轴对称磁埸中的电子轨跡。

Abstract

本文提出以磁埸聚焦的电子束为获得进入相互作用区时的最佳入射条件来计算过渡区的新方法;它可适用于电子枪区有磁埸渗入的一般情况。此方法假设过渡区电子束边缘轨跡的方程为: 其中C

n

可以由电子轨跡和磁埸在过渡区起点和终点的条件定出;再以所得r=r（z）代入傍轴轨跡方程

便能求出对应的磁埸分布。此方法简单而精确

并于文末给出一计算的实例。最后在附录中提供一种积分傍轴轨跡方程的数值计算法

可求以任意给定的初始条件进入已知轴对称磁埸中的电子轨跡。

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