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32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计
科研通信 | 更新时间:2025-12-08
    • 32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计

    • Design of Triple-Node-Upset Self-Recovery Latch in 32nm CMOS Technology

    • 电子学报   2021年49卷第2期 页码:394-400
    • DOI:10.12263/DZXB.20200530    

      中图分类号: TN43
    • 网络出版:2021-02-25

      纸质出版:2021

    移动端阅览

  • 黄正峰, 潘尚杰, 曹剑飞, 等. 32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计[J]. 电子学报, 2021,49(2):394-400. DOI: 10.12263/DZXB.20200530.

    HUANG Zheng-feng, PAN Shang-jie, CAO Jian-fei, et al. Design of Triple-Node-Upset Self-Recovery Latch in 32nm CMOS Technology[J]. Acta Electronica Sinica, 2021, 49(2): 394-400. DOI: 10.12263/DZXB.20200530.

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