基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计

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基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计

学术论文 | 更新时间：2025-12-08

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- 基于65 nm CMOS工艺的小型化高增益低噪声放大器设计
- Design of Miniaturized High-Gain Low Noise Amplifier Based on 65 nm CMOS Process
- 郭庆，陈雨庭，段宗明，吴先良
- 电子学报 2023年51卷第3期页码：593-600
- 作者机构：
  1.安徽大学电子信息工程学院, 安徽合肥 230000
  2.中国电子科技集团第三十八研究所，安徽合肥 230000
- 作者简介：
  郭庆男， 1997年7月出生于安徽省亳州市，现为安徽大学电子信息工程学院在读硕士研究生，主要研究方向为射频电路设计. E-mail: 18712202602@163.com
  陈雨庭男，1990年6月出生于安徽省舒城县. 现为安徽大学电子信息工程学院在读博士研究生，研究方向为射频电路设计. E-mail: 334154923@qq.com
  段宗明男， 1982年出生于安徽省安庆市. 博士，高级工程师. 主要研究方向为硅基射频与毫米波电路与系统设计. E-mail: duanzongm@163.com
  吴先良男，1955年出生于安徽省亳州市. 教授，博士生导师. 研究方向为电磁场理论、移动通信、复杂目标散射与逆散射理论、微波技术与天线、电磁场数值方法等领域. E-mail: xlwu@ahu.edu.cnxlwu@ahu.edu.cn
- 基金信息：
  国家自然科学基金(61871001;61971001)
- DOI： 10.12263/DZXB.20211116
  中图分类号：
- 修回：2021-11-17 ，
- 稿件说明：
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