高浓度掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜的态密度模型研究

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高浓度掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜的态密度模型研究

学术论文 | 更新时间：2025-12-11

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- 高浓度掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜的态密度模型研究
- Study on Density of States Model of High-Concentration Doped Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin-Film
- 蔡坤林，谢应涛，蹇欢，黄雁琳，翁嘉明
- 电子学报 2024年52卷第5期页码：1591-1600
- 作者机构：
  1.重庆邮电大学电子工程系，重庆 400065
  2.上海交通大学电气工程系，上海 200240
- 作者简介：
  蔡坤林男，1999年出生，重庆人．现为重庆邮电大学硕士研究生．主要研究方向为薄膜晶体管器件（TFT）研制及TFT建模仿真．E-mail: 1564548488@qq.com
  谢应涛男，1985年出生，四川达州人．博士.现为重庆邮电大学光电工程学院副教授、硕士生导师．主要研究方向为可溶液法的薄膜材料、柔性薄膜晶体管器件（TFT）研制及TFT建模仿真和TFT驱动电路设计． E-mail: xieyt@cqupt.edu.cn
- 基金信息：
  国家自然科学基金(61804019);重庆市教委科学技术研究项目(KJZD-K202200607);重庆市研究生科研创新项目(CYS22441)
- DOI： 10.12263/DZXB.20221027
  中图分类号：
- 修回：2022-12-19 ，
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