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基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究
Research on HTO-Based LDMOS Device Structure and Its Hot Carrier Injection Degradation
- 电子学报 2024年52卷第5期 页码：1582-1590
DOI： 10.12263/DZXB.20230025
修回：2023-06-08
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相关作者
沈瑞亮
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相关机构
华南理工大学广东省毫米波与太赫兹重点实验室
南京理工大学通信工程系
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