基于TCAD与DNN的FinFET器件辐射总剂量效应模型

周颖; 刘小年; 刘焱森; 曹鹏

doi:10.12263/DZXB.20241033

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基于TCAD与DNN的FinFET器件辐射总剂量效应模型

学术论文 | 更新时间：2026-05-28

- 基于TCAD与DNN的FinFET器件辐射总剂量效应模型
- A TCAD-DNN-Based Total-Ionizing-Dose Effect Model for FinFET Devices
- 周颖，刘小年，刘焱森，曹鹏
- 电子学报 2026年54卷第2期页码：634-645
- 作者机构：
  1.湖南师范大学物理与电子科学学院，湖南长沙 410081
  2.后摩尔时代物理与器件湖南省普通高等学校重点实验室，湖南长沙 410081
- 作者简介：
  周颖女，1999年5月出生于湖南省娄底市。2025年研究生毕业于湖南师范大学物理与电子科学学院。主要研究方向为微电子器件。E-mail: 2451833348@qq.com
  刘小年男，1990年12月出生于湖南省岳阳市。现为湖南师范大学物理与电子科学学院副教授、硕士生导师。主要研究方向为微电子器件与集成电路的辐射效应。中国电子学会会员编号：E190157336M。E-mail: xiaonian@hunnu.edu.cn
  刘焱森男，2001年1月出生于湖南省益阳市。2025年研究生毕业于湖南师范大学物理与电子科学学院。主要研究方向为微电子器件。E-mail: yansen@hunnu.edu.cn
  曹鹏男，1999年11月出生于湖南省郴州市。现为湖南师范大学物理与电子科学学院硕士研究生。主要研究方向为微电子器件。E-mail: 202370112326@hunnu.edu.cn
- 基金信息：
  国家自然科学基金(62204083);湖南省自然科学基金(2024JJ6322)
- DOI： 10.12263/DZXB.20241033
  中图分类号：
- 录用：2026-01-27 ，
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A TCAD-DNN-Based Total-Ionizing-Dose Effect Model for FinFET Devices

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