一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法

丁扣宝; 黄大海

doi:10.3969/j.issn.0372-2112.2013.05.030

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一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法

科研通信 | 更新时间：2025-07-16

- 一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法
- A Novel Multi-Pulse TLP Simulation for ESD Protection Device
- 电子学报 2013年41卷第5期页码：1016-1018
- 作者机构：
  
  浙江大学微电子与光电子研究所,浙江,杭州,310027
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 (No.61274035)
- DOI：10.3969/j.issn.0372-2112.2013.05.030
  中图分类号： TN302
- 纸质出版：2013
- 稿件说明：
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丁扣宝, 黄大海. 一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法[J]. 电子学报, 2013,41(5):1016-1018.

DING Kou-bao, HUANG Da-hai. A Novel Multi-Pulse TLP Simulation for ESD Protection Device[J]. Acta Electronica Sinica, 2013, 41(5): 1016-1018.
丁扣宝, 黄大海. 一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法[J]. 电子学报, 2013,41(5):1016-1018. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.05.030.

DING Kou-bao, HUANG Da-hai. A Novel Multi-Pulse TLP Simulation for ESD Protection Device[J]. Acta Electronica Sinica, 2013, 41(5): 1016-1018. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.05.030.

摘要

提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法

该方法类似于实际的TLP测量过程

在器件结构上施加一系列电流脉冲

获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%~90%部分的平均值

取得的每一对电压和电流平均值作为I-V曲线上的一点

从而得到电流-电压特性曲线。在此基础上

不仅可得到触发电压

1和维持电压

而且可以获取二次击穿电流I

。对LSCR的仿真结果表明仿真结果与测试结果符合的很好。

Abstract

A novel TLP simulation method for ESD protection device in integrated circuit is proposed

which is similar with the real TLP process.By imposing series of current pulses on the device structure

the corresponding voltage vs.time curves are obtained.The average current value in the range of 70%~90% time for each I-t curve is calculated

and so is the average voltage value

and hence the simulated I-V curve can be obtained

from which not only the trigger voltage and the holding voltage

but also the second breakdown current can be evaluated.The simulation results for LSCR fit well with the test one

from which the validity of this method can be verified.

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