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亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
学术论文 | 更新时间:2025-07-16
    • 亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型

    • A 2-D Analytical Potential Model for the Oxide Layer and Space Charge Region of MOSFETs in Subthreshold

    • 电子学报   2013年41卷第11期 页码:2237-2241
    • DOI:10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.019    

      中图分类号: TN386.1
    • 纸质出版:2013

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  • 韩名君, 柯导明, 王保童, 等. 亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型[J]. 电子学报, 2013,41(11):2237-2241. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.019.

    HAN Ming-jun, KE Dao-ming, WANG Bao-tong, et al. A 2-D Analytical Potential Model for the Oxide Layer and Space Charge Region of MOSFETs in Subthreshold[J]. Acta Electronica Sinica, 2013, 41(11): 2237-2241. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.11.019.

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