超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型

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学术论文 | 更新时间：2025-07-16

- 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
- A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions
- 电子学报 2015年43卷第1期页码：94-98
- 作者机构：
  
  1. 安徽大学电子信息工程学院,安徽,合肥,230601
  2. 安徽工程大学电气工程学院,安徽,芜湖,241000
  3. 安徽大学电子信息工程学院,安徽,合肥,230601
  4. 安徽工程大学电气工程学院,安徽,芜湖,241000
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金 (No.61076086,No.06070458);高等学校博士学科点专项科研基金 (No.2103401110008)
- DOI：10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015
  中图分类号： TN386.1
- 纸质出版：2015
- 稿件说明：
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韩名君, 柯导明. 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型[J]. 电子学报, 2015,43(1):94-98.

HAN Ming-jun, KE Dao-ming. A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions[J]. Acta Electronica Sinica, 2015, 43(1): 94-98.
韩名君, 柯导明. 超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型[J]. 电子学报, 2015,43(1):94-98. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015.

HAN Ming-jun, KE Dao-ming. A 2-D Potential Sub-Threshold Model for Sub-45nm MOSFETs with Ultra Shallow Junctions[J]. Acta Electronica Sinica, 2015, 43(1): 94-98. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2015.01.015.

文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域

得到三个区域的定解问题

并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数

首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型

并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15～45nm MOSFET的二维电势和电流.

Three definite-solutions problems

which are divided from the oxide layer and Si substrate for ultra shallow junctions MOSFETs

are presented.A 2-D potential analytical model for the Sub-45nm MOSFETs with ultra shallow junctions

which the unknowns can be solved by the eigenfunctions expansion from the connected condition identity

is derived.The sub-threshold current model is also presented.According to the comparison with MEDICI

the model can accurately simulate the sub-threshold 2-D potential and current of USJs 15-45nm MOSFETs.

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