基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究

李军; 尹希雷; 代法亮; 朱佳垟; 刘春秀; 应祥岳; 刘太君

doi:10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.026

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基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究

科研通信 | 更新时间：2025-12-08

- 基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究
- The Research on Thermal Characteristics of RF Power Amplifier Based on ANSYS
- 电子学报 2020年48卷第12期页码：2487-2492
- 作者机构：
  
  1. 宁波大学信息科学与工程学院,浙江,宁波,315211
  2. 浙江工商职业技术学院,浙江,宁波,315012
  3. 宁波大学信息科学与工程学院,浙江,宁波,315211
  4. 浙江工商职业技术学院,浙江,宁波,315012
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金面上项目 (No.61571251）;宁波市自然科学基金 (No.2018A610024）;宁波市教育科学规划重点课题 (No.2019YZD004）
- DOI：10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.026
  中图分类号： TN722
- 网络出版：2020-12-25，
  
  纸质出版：2020
- 稿件说明：
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李军, 尹希雷, 代法亮, 等. 基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究[J]. 电子学报, 2020,48(12):2487-2492.

LI Jun, YIN Xi-lei, DAI Fa-liang, et al. The Research on Thermal Characteristics of RF Power Amplifier Based on ANSYS[J]. Acta Electronica Sinica, 2020, 48(12): 2487-2492.
李军, 尹希雷, 代法亮, 等. 基于ANSYS的射频功率放大器热特性研究[J]. 电子学报, 2020,48(12):2487-2492. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.026.

LI Jun, YIN Xi-lei, DAI Fa-liang, et al. The Research on Thermal Characteristics of RF Power Amplifier Based on ANSYS[J]. Acta Electronica Sinica, 2020, 48(12): 2487-2492. DOI： 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.026.

摘要

论文首先仿真设计了一款射频功率放大器，接着构建了该射频功率放大器热特性分析模型，并采用有限元方法分析了该射频功率放大器热特性，然后研究了增加过孔以及不同覆铜层厚度、环境温度、耗散功率四种情况对射频功率放大器的温度、热应力和热形变的影响，最后基于上述分析结论加工制作并测试了该款射频功率放大器.在3.3GHz~3.6GHz范围内其输出功率不低于39.2dBm，增益不低于12dB，功率附加效率为62.6%~69%；在环境温度为21℃下，运用红外温度扫描仪进行测试，该款射频功率放大器最高温度达到90.0℃，测试结果与仿真分析结果相近.论文的研究为未来射频功率放大器的设计及制作提供了重要指导.

Abstract

At first

a design and simulation of a RF power amplifier is presented. Then

the thermal characteristics analysis model of the RF power amplifier is built and the thermal characteristics of the RF power amplifier is analyzed by using the finite element method. After that the effects of increasing the through hole and different copper coating thickness

environmental temperature and dissipative power on the temperature

thermal stress and thermal deformation of the RF power amplifier are studied. Based on the above analysis

the RF power amplifier is fabricated and measured at last. In the frequency range of 3.3GHz to 3.6GHz

power added efficiency is from 62.6% to 69% with output power greater than 39.2dBm and gain larger than 12dB. When the ambient temperature is 21℃

the maximum temperature of the RF power amplifier reaches 90.0℃

and the test results are close to the simulation analysis results. The research of this paper provides important guidance for the design and manufacture of RF power amplifier in the future.

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