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电子学报  2018, Vol. 46 Issue (7): 1781-1786    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.07.035
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高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS
姚佳飞1,2, 郭宇锋1,2, 李曼1,2, 王子轩1,2, 胡善文1,2, 夏天3
1. 南京邮电大学, 江苏南京 210003;
2. 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室, 江苏南京 210003;
3. 佛蒙特大学, 美国佛蒙特州 05405
Novel SOI LDMOS with Step Width Drift Region Using High-k Dielectric
YAO Jia-fei1,2, GUO Yu-feng1,2, LI Man1,2, WANG Zi-xuan1,2, HU Shan-wen1,2, XIA Tian3
1. Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, Jiangsu 210003, China;
2. National and Local Joint Engineering Laboratory of RF Integration and Micro-Assembly Technology, Nanjing, Jiangsu 210003, China;
3. University of Vermont, Burlington, Vermont 05405, USA

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