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电子学报  2019, Vol. 47 Issue (5): 1065-1069    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.05.013
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体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响
席善学1,2,3, 陆妩2,3, 郑齐文2,3, 崔江维2,3, 魏莹2,3, 姚帅1,2,3, 赵京昊1,2,3, 郭旗2,3
1. 中国科学院大学, 北京, 100049;
2. 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所, 新疆乌鲁木齐, 830011;
3. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 新疆乌鲁木齐, 830011
The Impact of Body Effect on TID of Ultra Deep Sub Micron SOI Devices
XI Shan-xue1,2,3, LU Wu2,3, ZHENG Qi-wen2,3, CUI Jiang-wei2,3, WEI Ying2,3, YAO Shuai1,2,3, ZHAO Jing-hao1,2,3, GUO Qi2,3
1. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
2. Key Laboratory of Functional Material and Devices for Special Environment, Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi, Xinjiang 830011, China;
3. Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Urumqi, Xinjiang 830011, China

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