电子学报
 首页  |  期刊介绍  |  编 委 会  |  投稿指南  |  期刊订阅  |  综合信息  |  联系我们  |  致谢审稿人 | CJE
电子学报  2019, Vol. 47 Issue (8): 1755-1761    DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.08.020
学术论文 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
彭超, 雷志锋, 张战刚, 何玉娟, 黄云, 恩云飞
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室, 工业和信息化部电子第五研究所, 广东广州, 510610
Research on Total Ionizing Dose Effect Simulation Technology of Silicon-on-Insulator Device Based on TCAD
PENG Chao, LEI Zhi-feng, ZHANG Zhan-gang, HE Yu-juan, HUANG Yun, EN Yun-fei
Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute, Guangzhou, Guangdong 510610, China

版权所有 © 2012 《电子学报》编辑部
本系统由北京玛格泰克科技发展有限公司设计开发 技术支持:support@magtech.com.cn
京ICP备12041980号-1