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电子学报  2003, Vol. 31 Issue (8): 1260-1262    DOI:
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浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析
贺朝会, 耿 斌, 杨海亮, 陈晓华, 李国政, 王燕萍
西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,陕西西安 710024
Comparison and Analysis of Radiation Effects between Floating Gate ROMs and SRAMs
HE Chao-hui, GENG Bin, YANG Hai-liang, CHEN Xiao-hua, LI Guo-zheng, WANG Yan-ping
Northwest Institute of Nuclear Technology,P.O.Box 69-13,Xi'an,Shaanxi 710024,China

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