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电子学报  2007, Vol. 35 Issue (5): 844-848    DOI:
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基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅 LDMOS阈值电压模型
代月花, 高 珊, 柯导明, 陈军宁
安徽大学电子科学与技术学院,安徽合肥 230039
Threshold Voltage Model of a Novel Dual Polysilicon Material Gate LDMOS Based on Two Dimensional Potential Distribution
DAI Yue-hua, GAO Shan, KE Dao-ming, CHEN Jun-ning
Electronic Science and Technology Department,Anhui University,Hefei,Anhui 230039,China

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