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电子学报  2005, Vol. 33 Issue (11): 2056-2058    DOI:
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型
胡辉勇, 张鹤鸣, 戴显英, 王顺祥, 朱永刚, 区健锋, 俞智刚, 马何平, 王喜媛
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071
Electron-Sheet-Density Model in Strain-Si Modulation-Doped NMOSFET
HU Hui-yong, ZHANG He-ming, DAI Xian-ying, WANG Shun-xiang, ZHU Yong-gang, OU Jian-feng, YU Zhi-gang, MA He-ping, WANG Xi-yuan
Key Lab of Ministry of Education for Wide Bade-Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an,Shaanxi 710071,China

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