基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

PDF(1523 KB)

电子学报 ›› 2022, Vol. 50 ›› Issue (5) : 1227-1233. DOI: 10.12263/DZXB.20210737

作者信息 +

Surface Potential Based E-mode p-GaN HEMT Device Model

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2022, 50(5): 1227-1233. https://doi.org/10.12263/DZXB.20210737

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2022, 50(5): 1227-1233. https://doi.org/10.12263/DZXB.20210737

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(1523 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航