基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究

PDF(1873 KB)

电子学报 ›› 2024, Vol. 52 ›› Issue (5) : 1582-1590. DOI: 10.12263/DZXB.20230025

作者信息 +

Research on HTO-Based LDMOS Device Structure and Its Hot Carrier Injection Degradation

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 52(5): 1582-1590. https://doi.org/10.12263/DZXB.20230025

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2024, 52(5): 1582-1590. https://doi.org/10.12263/DZXB.20230025

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(1873 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航