Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延

PDF(1480 KB)

电子学报 ›› 2024, Vol. 52 ›› Issue (12) : 3907-3913. DOI: 10.12263/DZXB.20240662

作者信息 +

High Quality GaN Epitaxy Based on Induced Nucleation Technology on Si Substrate

Author information +

文章历史 +

导出引用

{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2024, 52(12): 3907-3913. https://doi.org/10.12263/DZXB.20240662

{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2024, 52(12): 3907-3913. https://doi.org/10.12263/DZXB.20240662

中图分类号：

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

PDF(1480 KB)

Accesses

Citation

Detail

段落导航