电子学报 ›› 2013, Vol. 41 ›› Issue (7): 1431-1435.DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.07.029
胡佳俊, 陈后鹏, 宋志棠, 王倩, 宏潇, 李喜, 许伟义
HU Jia-jun, CHEN Hou-peng, SONG Zhi-tang, WANG Qian, HONG Xiao, LI Xi, XU Wei-yi
摘要: 本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent Series Resistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.
中图分类号: