一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

韩克锋, 蒋浩, 秦桂霞, 孔月婵

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (2) : 501-506.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (2) : 501-506. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033
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一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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A Compact Large-Signal Model Topology for GaN High Electron Mobility Transistors

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 46(2): 501-506. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2018, 46(2): 501-506. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.02.033
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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