具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

代红丽, 赵红东, 王洛欣, 石艳梅, 李明吉

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (5) : 1146-1152.

PDF(1587 KB)
学会官网  |  加入学会  |  登录学会  |  English 
PDF(1587 KB)
电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (5) : 1146-1152. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.019
学术论文

具有L型栅极场板的双槽双栅绝缘体上硅器件新结构

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
作者信息 +

A Dual-Trench-Gate Silicon on Insulator Device with a L-shaped Gate Field Plate

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
Author information +
文章历史 +

本文亮点

{{article.keyPoints_cn}}

HeighLight

{{article.keyPoints_en}}

摘要

{{article.zhaiyao_cn}}

Abstract

{{article.zhaiyao_en}}

关键词

Key words

本文二维码

引用本文

EndNote

Ris (Procite)

Bibtex

导出引用
{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 46(5): 1146-1152. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.019
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2018, 46(5): 1146-1152. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.05.019
中图分类号：

参考文献

原文顺序 | 文献年度倒序 | 文中引用次数倒序

参考文献

{{article.reference}}

基金

版权

{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
PDF(1587 KB)

Accesses

Citation

Detail
段落导航
相关文章
创刊日期：1962年创刊（月刊）
主办单位：中国电子学会
ISSN　0372-2112
CN　11-2087/TN
通讯地址：北京165信箱《电子学报》编辑部
邮政编码：100036
联系电话：010-68600735
电子邮箱：new@ejournal.org.cn
电子学报微信公众号
中国电子学会微信
京ICP备12041980号-1　版权所有 ©《电子学报》编辑部　

/

〈 〉