高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS

姚佳飞, 郭宇锋, 李曼, 王子轩, 胡善文, 夏天

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (7) : 1781-1786.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (7) : 1781-1786. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.07.035
科研通信

高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Novel SOI LDMOS with Step Width Drift Region Using High-k Dielectric

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 46(7): 1781-1786. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.07.035
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2018, 46(7): 1781-1786. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.07.035
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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