基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET

刘佳佳, 刘英坤, 谭永亮, 张力江, 崔玉兴

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (8) : 2026-2029.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (8) : 2026-2029. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.08.031
学术论文

基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET

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1.2kV 4H-SiC DMOSFET with Phosphorous Passivated Gate Dielectric

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