半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

史淑廷, 郭刚, 刘建成, 蔡莉, 陈泉, 沈东军, 惠宁, 张艳文, 覃英参, 韩金华, 陈启明, 张付强, 殷倩, 肖舒颜

电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (10) : 2546-2550.

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电子学报 ›› 2018, Vol. 46 ›› Issue (10) : 2546-2550. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032
科研通信

半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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Study of Measurement of the Ion Effective LET in Semiconductor Devices

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2018, 46(10): 2546-2550. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2018, 46(10): 2546-2550. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2018.10.032
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
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