体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

席善学, 陆妩, 郑齐文, 崔江维, 魏莹, 姚帅, 赵京昊, 郭旗

电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (5) : 1065-1069.

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电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (5) : 1065-1069. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.05.013
学术论文

体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

    {{javascript:window.custom_author_cn_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_CN}}
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The Impact of Body Effect on TID of Ultra Deep Sub Micron SOI Devices

    {{javascript:window.custom_author_en_index=0;}}
  • {{article.zuoZhe_EN}}
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{{article.keyPoints_cn}}

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{{article.keyPoints_en}}

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{{article.zhaiyao_cn}}

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{{article.zhaiyao_en}}

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{{article.zuoZheCn_L}}. {{article.title_cn}}[J]. {{journal.qiKanMingCheng_CN}}, 2019, 47(5): 1065-1069. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2019.05.013
{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2019, 47(5): 1065-1069. https://doi.org/10.3969/j.issn.0372-2112.2019.05.013
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{{article.reference}}

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{{article.copyrightStatement_cn}}
{{article.copyrightLicense_cn}}
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