高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

李浩, 任建伟, 杜寰

电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (11) : 2317-2322.

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电子学报 ›› 2019, Vol. 47 ›› Issue (11) : 2317-2322. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2019.11.012
学术论文

高鲁棒性N型沟道RF-LDMOS在TLP应力下的电学机理研究

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The Electrical Mechanism Study of High-Ruggedness N-Channel RF-LDMOS Under TLP Stress

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