1200V大容量SiC MOSFET器件研制

刘新宇, 李诚瞻, 罗烨辉, 陈宏, 高秀秀, 白云

电子学报 ›› 2020, Vol. 48 ›› Issue (12) : 2313-2318.

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电子学报 ›› 2020, Vol. 48 ›› Issue (12) : 2313-2318. DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2020.12.004
学术论文

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

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Development of 1200V High Capacity SiC MOSFET Devices

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