氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO<sub>2</sub>界面应力的研究

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电子学报 ›› 2000, Vol. 28 ›› Issue (2) : 49-51.

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氮化感应致n-MOSFETsSi/SiO₂界面应力的研究

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Study on Nitridation-Induced Residual Stress near Si/SiO₂ Interface in n-MOSFETs

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{{article.zuoZheEn_L}}. {{article.title_en}}[J]. Acta Electronica Sinica, 2000, 28(2): 49-51.

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香港大学RGC和CRCG基金资助课题

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